近日，我系龙浩博士以第一作者在半导体科学期刊《Semiconductor Science and Technology》上发表的论文“Coplanar metal–semiconductor–metal light- emitting devices with an n++ InGaN layer and their application to display”被国际半导体行业著名杂志《Semiconductor Today》作为宽禁带半导体氮化镓器件的重要研究进展进行专栏报道。我系光电子工程技术研究中心是该论文的唯一作者单位。

以第三代宽禁带半导体三族氮化物为基础的发光二极管（LED）具有直接带隙、发光效率高、化学稳定性强等优点，目前已经成为了照明、背光、户外大屏显示等多个领域的主流技术。我系张保平教授团队目前在三族氮化物的LED、VCSEL等多个领域取得了多项重大研究成果，并成功实现了VCSEL的蓝绿光连续电泵激射，处于国内国际领先水平。该研究室同时承担了多项国家重点基金研究课题、横向课题等。龙浩博士2013年于北京大学毕业，2013-2015年进行联想研究院负责光电显示领域研究，后以师资博士后身份加入该团队，一直专注于宽禁带氮化镓半导体技术的研究。本工作就是在国家自然科学基金、博士后基金、广东省科技重点项目的支持下完成的。

  该论文通过在传统的InGaN/GaN LED器件外延片上生长5nm重掺n型InGaN层，形成表面n/p/n结构。利用简单的一次光刻及金属沉积，在表面形成n，p电极，即可实现器件发光。虽然LED发光效率及发光强度相比于传统LED下降10%，但器件工艺大大简化。而在显示领域，无机LED一直无法以阵列形式实现高分辨率信息显示，其主要原因来自于GaN LED的复杂工艺流程。该论文提供了无机LED往显示方向发展的一种新思路。同时，作者利用该平面电极技术，实现了300微米尺度下厦门大学‘XMU’logo发光显示。 

《Semiconductor Science and Technology》期刊是半导体材料与器件领域的顶级国际期刊之一，2014年度影响因子为2.19。

《Semiconductor Today》是总部位于英国具有独立性和非盈利性的国际半导体行业著名杂志。专注于报道化合物半导体和先进硅半导体的重要研究进展和最新行业动态。

论文链接：

http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0268-1242/31/6/065019/meta

专栏报道链接：

http://www.semiconductor-today.com/news_items/2016/may/xiamen_240516.shtml