基于GaN材料的半导体激光在便携式激光显示、激光打印、高密度光存储、水下通信等领域具有重要应用价值。除此之外，VCSEL还具有阈值电流低、光束质量好、可实现二维阵列等优点，有望开拓新型应用。国际上在2008年实现了电注入GaN基VCSEL的激射，至今已经有多家研究单位以及企业加入到该器件的研究中，如台湾交通大学、日本日亚化学公司和松下（先锋）公司、美国加州大学、瑞士洛桑理工大学等。

    电子工程系光电子工程技术研究中心张保平教授课题组从2006年开始进行GaN基VCSEL的研究，于2008年实现了光泵条件下的激射。在后续电注入VCSEL的研制过程中，通过优化蓝宝石衬底以及高缺陷密度GaN层的去除工艺和技术、进行低光损耗高增益谐振腔结构的设计和制作、提高器件的散热效率等手段，于2014年实现了电注入GaN基VCSEL的激射，激射波长425nm,阈值电流密度1.2 kA/cm²，光谱线宽0.2nm，其中部分指标达到了国际先进水平，研究结果刊登在国际知名期刊Applied Physics Letters上。这是我国大陆首次实现电注入GaN基VCSEL的激射。